单晶硅差压变送器
随着微电子机械加工系统技术的日趋成熟而为传感器行业带来一场新的革命，对于压力、差压、液位传感器而言，其封装的传感器芯片本质将决定***终产品的性能与等级。以目前******市场上广泛采用的硅芯片技术而言，硅压阻
Description
随着微电子机械加工系统技术的日趋成熟而为传感器行业带来一场新的革命，对于压力、差压、液位传感器而言，其封装的传感器芯片本质将决定***终产品的性能与等级。以目前******市场上广泛采用的硅芯片技术而言，硅压阻技术加工工艺成熟，但其信噪比特性与温度特性有待提高；硅谐振技术加工工艺复杂过压特性不好；本公司3351J系列单晶硅差压变送器芯片采用超高纯度单晶硅材质，其材质特性优于市场上通用的复合硅、扩散硅材料，芯片采用德国******的单晶硅双梁悬浮式技术，结合了硅压阻与硅谐振技术双方特点，并从设计与工艺上做出了创新性优化，实现高精度、高稳定性、低温度影响、超高过压等优异性能，完全适用于工业过程控制、自动化制造、航天航空、汽车与船舶、医疗卫生等多个领域。
一、单晶硅差压变送器性能特点：
1、高纯度单晶硅材质，有效提高产品寿命及长期稳定性
2、双惠斯通电桥设计，“双梁”电阻温度特性互补，提高芯片抗干扰能力
3、LCD带背光显示数字表头可以显示压力、百分比和电流及0~100%模拟指示
4、通过按键组合操作能实现调零和调满功能，以及数据恢复功能，方便了现场调试
5、信号转换、信号采集与处理及电流输出控制采用了一体化专用集成电路（ASICS）使智能变送器具有高稳定、高可靠、高抗震等特点，并具有良好的互换性
二、单晶硅差压变送器技术参数：
产品型号：SK3351JDP-单晶硅差压变送器SK3351JDR-单晶硅微差压变送器
测量原理：单晶硅悬浮式
适用场合：水压、油压、气压、负压
测量范围：-400~400kPa量程可选
测量精度：±0.1%；±0.075%
电源：DC10.5~45V
输出：DC4~20mA+HART
三、单晶硅差压变送器产品选型：
| 3351JDR | 微差压变送器 | ||||||||||
3351JDP | 差压变送器 | ||||||||||
量程范围 | 代码 | 量程单位 | |||||||||
KPa | InH2O | mBar | mmH2O | ||||||||
（根据以下表格中选取代码） | |||||||||||
输出信号 | S | 4~20Ma+HART协议 | |||||||||
T | 特殊要求 | ||||||||||
精度等级 | I75 | 0.075%± | |||||||||
I1 | 0.1%± | ||||||||||
I2 | 0.25%± | ||||||||||
显示方式 | M3 | 液晶显示 | |||||||||
连接型式及尺寸 | C2 | 丁字形螺纹接头M20×1.5，带Ф14焊接引压管（GP型） | |||||||||
SF | 配三阀组 | ||||||||||
Y | 用户约定 | ||||||||||
安装支架型式（GP型） | B1 | 管装弯支架 | |||||||||
B2 | 板装弯支架 | ||||||||||
B3 | 管装平支架 | ||||||||||
隔爆等级 | B | ExdiiCT6 | |||||||||
四、工作压力：
| 型? 号 | 膜盒 | 工作压力 |
DR微差压变送器 | DR1（1KPa） | 1.5MPa |
DR2（6KPa） | 2MPa | |
DP中静压差压变送器 | M1~M6 | 25MPa |
DX大量程差压变送器 | L1（2MPa） | 25MPa |
L2（4MPa） | 20MPa | |
L3（10MPa） | 20MPa | |
HP高静压差压变送器 | HP1~HP6 | 40MPa |
DPS低静压差压变送器 | S1（10KPa） | 2MPa |
S2（20KPa） | 3.5MPa | |
S3（40KPa） | 3.5MPa | |
S4（100KPa） | 7MPa | |
S5（200KPa） | 7MPa | |
S6（500KPa） | 7MPa |
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